[发明专利]频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法

摘要

本发明涉及频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法。将晶片定位在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域，以在等离子体产生区域内产生等离子体。基于将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来检测等离子体内的等离子体不稳定性的形成。在检测到等离子体不稳定性形成之后，将第二信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来代替第一信号频率的射频信号以产生等离子体。第二信号频率大于第一信号频率，并被设定为导致等离子体内的离子能量的减少以及来自晶片的由离子与晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。

主权项

1.一种用于晶片的等离子体处理的方法，其包括：将晶片定位在晶片支撑装置上，所述晶片支撑装置位于电极下方，使得在所述晶片和所述电极之间存在等离子体产生区域；在等离子体处理操作的多个连续等离子体处理循环期间将第一信号频率的射频信号提供给所述等离子体产生区域，以在所述等离子体产生区域内产生等离子体；基于将所述第一信号频率的所述射频信号提供给所述等离子体产生区域来检测所述等离子体内的等离子体不稳定性的形成；以及在检测到所述等离子体不稳定性的形成之后，将第二信号频率的射频信号提供给所述等离子体产生区域以在所述等离子体产生区域内产生所述等离子体，提供所述第二信号频率的所述射频信号来代替所述第一信号频率的所述射频信号，所述第二信号频率大于所述第一信号频率，所述第二信号频率导致所述等离子体内的离子能量的减少同时维持入射在所述晶片表面的现有的离子通量以及来自所述晶片的由离子与所述晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。