[发明专利]一种垂直结构浮栅闪存及其制造方法

摘要

本发明涉及存储器制造技术领域，尤其涉及一种垂直结构浮栅闪存及其制造方法，本发明的垂直结构浮栅闪存的制造方法从工艺整合的角度考量，优化工艺顺序，通过将水平结构的浮栅闪存制造为垂直结构的浮栅闪存，有效提高了浮栅闪存的存储密度，且不会导致短沟道效应和漏源击穿电压变低。

主权项

1.一种垂直结构浮栅闪存，包括半导体衬底和设置于所述半导体衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层中设置有多个垂直沟道闪存结构，每个所述垂直沟道闪存结构包括：沟槽；多对源极区和漏极区，以垂直分布的方式设置于所述沟槽侧壁的所述外延层中，每对所述源极区和漏极区之间形成所述垂直沟道；隧穿氧化层，设置于所述沟槽内侧壁；多个浮栅，设置于所述隧穿氧化层侧面，且所述隧穿氧化层的相对的侧面中，每个所述侧面分别设置有两个浮栅，所述隧穿氧化层将所述浮栅和所述垂直沟道分隔开；隔离氧化层，设置于所述沟槽底部以及每两个所述浮栅之间；控制栅，填充在所述沟槽中且位于所述浮栅侧面；以及隔离层，设置于所述控制栅与所述浮栅之间。