[发明专利]相位移光掩模的形成方法有效
申请号: | 201611014864.4 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108073032B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 陈俊郎;涂志强;杨世豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。此方法包括:在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层。图案化掩模层,以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模,对促进层以及遮蔽层进行蚀刻,以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。同时移除图案化掩模层以及图案化促进层。以第一图案化遮蔽层为掩模,对相位移层进行蚀刻,以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层,以形成第二图案化遮蔽层。从而能简化工艺,并同时使其所形成的相位移光掩模具有良好的分辨率。 | ||
搜索关键词: | 相位 移光掩模 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种相位移光掩模的形成方法,其特征在于,包括:在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层;图案化所述掩模层,以形成图案化掩模层;以所述图案化掩模层为掩模,对所述促进层和所述遮蔽层进行图案化,以形成图案化促进层和第一图案化遮蔽层;移除所述图案化促进层,其中在移除所述图案化促进层时同时移除所述图案化掩模层;以所述第一图案化遮蔽层为掩模,对所述相位移层进行蚀刻,以形成图案化相位移层;以及选择性移除所述第一图案化遮蔽层,以形成第二图案化遮蔽层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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