[发明专利]鳍状场效晶体管器件在审

专利信息
申请号: 201611014865.9 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN106887462A 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马雯雯,臧建明
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种鳍状场效晶体管器件,包括衬底、至少一栅极堆叠结构、多个间隔物以及源极与漏极区域。栅极堆叠结构配置在衬底上,且多个间隔物配置在栅极堆叠结构的侧壁上。源极与漏极区域配置于衬底内,且分设在栅极堆叠结构的相对侧。具有接触开口的介电层配置在衬底的上方,并覆盖栅极堆叠结构。金属连接结构配置于接触开口内,并连接至源极与漏极区域,且黏着层夹置于接触开口以及位于接触开口内的金属连接结构之间。
搜索关键词: 鳍状场效 晶体管 器件
【主权项】:
一种鳍状场效晶体管器件,其特征在于,包括:衬底;至少一栅极堆叠结构,配置在所述衬底上;多个间隔物,配置在所述至少一栅极堆叠结构的侧壁上;源极与漏极区域,配置于所述衬底内且分设在所述至少一栅极堆叠结构的相对侧;介电层,配置在所述衬底的上方以及所述至少一栅极堆叠结构上,其中所述介电层包括暴露出所述源极与漏极区域的至少一接触开口;至少一鞘结构,配置于所述至少一接触开口内;以及至少一金属连接结构,配置于所述至少一鞘结构以及所述至少一接触开口内,其中所述至少一金属连接结构连接至所述源极与漏极区域。
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