[发明专利]OLED基板及其制作方法在审
申请号: | 201611015034.3 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN106449718A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 王杲祯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种OLED基板及其制作方法。本发明的OLED基板的制作方法,通过采用无机物材料制作像素定义层,能够降低光阻剥离制程中像素定义层被误剥离的风险,同时降低蒸镀制程中精细金属掩膜板被污染的风险,提高精细金属掩膜板的使用效率。本发明的OLED基板,采用上述OLED基板的制作方法制备而成,像素定义层结构完整,能够有效保护下方阳极及衬底基板,器件性能好。 | ||
搜索关键词: | oled 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种OLED基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成间隔设置的数个阳极(20);在所述衬底基板(10)及数个阳极(20)上沉积一无机膜层(80);步骤2、采用半色调光罩(85)对所述无机膜层(80)进行图形化处理,得到像素定义层(30)、设于所述像素定义层(30)上的数个间隔物(50)、及设于所述像素定义层(30)上且分别对应于所述数个阳极(20)的数个开口(31),每个开口(31)暴露出对应的阳极(20)的至少一部分,制得第一基板(91);步骤3、在所述第一基板(91)上涂布一光阻层(95),所述光阻层(95)覆盖所述像素定义层(30)、数个间隔物(50)、及阳极(20);对所述涂布光阻层(95)的第一基板(91)进行切割,得到数个第二基板(92);步骤4、对所述第二基板(92)上的光阻层(95)进行剥离,得到第三基板(93);步骤5、在所述第三基板(93)上的数个开口(31)内从下到上依次形成空穴注入层(41)、空穴传输层(42)、有机发光层(43)、电子传输层(44)、电子注入层(45)、及阴极(46),制得一OLED基板(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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