[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 201611015218.X | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107452646A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 涂志强;陈俊郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种蚀刻方法，包括装载工件于干式蚀刻系统内；对工件执行干蚀刻程序；以及于执行干蚀刻程序时，旋转上述工件。旋转式的干蚀刻方法是使用一种半导体制造系统来进行，其中半导体制造系统包括于其内部执行干蚀刻程序的干式蚀刻腔室、承载装置及控制器。承载装置配置有让可蚀刻工件水平地插入的水平向的插槽，其中可蚀刻工件包括光掩模或晶片。控制器耦合承载装置；于执行干蚀刻程序时，控制承载装置以顺时钟方向或逆时钟方向转动。执行干蚀刻程序时，由于可蚀刻工件插入水平向的插槽，使得可蚀刻工件的运动受到限制。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其特征在于，包括：装载工件于干式蚀刻系统内；对所述工件执行干蚀刻程序；以及于执行所述干蚀刻程序时，旋转所述工件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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