[发明专利]一种封装基板的结构及其封装方法

摘要

本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本发明的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。

主权项

1.一种封装基板的封装方法，包括如下工艺过程：步骤一、将超高密度基板（10）的上表面与载体（700）的上表面通过双面剥离膜（T1）贴装固定；步骤二、通过真空贴膜的方式在双面剥离膜（T1）的上表面形成包封层Ⅰ（310），将超高密度基板（10）包覆于其中；步骤三、将步骤二中的封装结构与普通基板（20）进行对位并健合；步骤四、分离载体（700）和双面剥离膜（T1），露出超高密度基板（10）的上表面及其焊盘；步骤五、顺次通过激光打孔工艺、电镀铜工艺，在超高密度基板（10）的垂直区域之外形成穿透包封层Ⅰ（310）的盲孔（150）及其盲孔内金属和基板外层金属电极（110），其中，部分基板外层金属电极（110）延伸至超高密度基板（10）的垂直区域之内，基板外层金属电极（110）与普通基板（20）通过盲孔内金属连接；步骤六、将高密度芯片（51）与超高密度基板（10）的焊盘倒装连接、低密度芯片（53）与基板外层金属电极（110）倒装或贴装连接；步骤七、通过填充工艺，用包封材料覆盖高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和高密度基板（10）、包封层Ⅰ（310）、基板外层金属电极（110）的裸露部分，形成包封层Ⅱ（610），并在普通基板（20）的另一侧的焊盘Ⅱ（250）设置焊料凸块。