[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611016704.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108074973A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的两侧分别具有相对的第一侧和第二侧；在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一凹槽；在所述第一凹槽邻近所述栅极结构的侧壁表面形成第一阻挡层，所述第一阻挡层中具有第一阻挡离子；形成所述第一阻挡层之后，在所述第一凹槽中和所述栅极结构第二侧的衬底中形成源漏掺杂层。形成所述源漏掺杂层之前，在所述第一凹槽侧壁中形成第一阻挡层。所述第一阻挡离子能够进减少源漏掺杂层中的离子向栅极结构下方衬底扩散的通道，因此，所述形成方法能够降低所形成半导体结构的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 衬底 阻挡层 半导体结构 掺杂层 源漏 离子 阻挡 短沟道效应 凹槽侧壁 侧壁表面 邻近 中和 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的两侧分别具有相对的第一侧和第二侧；在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一凹槽；在所述第一凹槽邻近所述栅极结构的侧壁表面形成第一阻挡层，所述第一阻挡层中具有第一阻挡离子；形成所述第一阻挡层之后，在所述第一凹槽中和所述栅极结构第二侧的衬底中形成源漏掺杂层。
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