[发明专利]中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法在审
| 申请号： | 201611017299.7 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107546215A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体封装的中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法。该中介物包含一基板部以及位于该基板部上的一壁部。该基板部具有第一侧、第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的电互连结构。贯穿硅插塞(through silicon via，TSV)的制造成本非常昂贵，本公开的基板部实质上无导电贯穿插塞；因此，本公开的中介物的制造成本可大幅降低。此外，该壁部位于该第一侧并且定义一开口，其局部暴露该电互连结构。如此，本公开制备半导体封装时至少一半导体晶粒可接合至该中介物并且位于该开口内部；如此，本公开的半导体封装的高度低于将半导体晶粒配置于该中介物的顶部的半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 半导体 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装的中介物，包括：一基板部，具有一第一侧、一第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的一电互连结构，其中该基板部实质上无导电贯穿插塞；以及一壁部，位于该第一侧并且定义一开口，其中该开口局部暴露该电互连结构。
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