[发明专利]一种背势垒高电子迁移率晶体管以及制备方法在审
| 申请号： | 201611017880.9 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106549040A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 唐武;张竹君 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都知集市专利代理事务所(普通合伙)51236 | 代理人： | 刘艳均 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背势垒高电子迁移率晶体管，包括形成于底层的衬底；外延生长于衬底上的AlXGa1‑XN缓冲层，其中0＜x≤0.15；外延生长于AlXGa1‑XN缓冲层上的GaN沟道层；沉积在GaN沟道层上的Al0.3Ga0.7N势垒层；沉积在势垒层上的氮化硅层；氮化硅层刻蚀栅极、源极和漏极。本发明通过优化AlxGa1‑xN缓冲层中Al组分的比例，使得缓冲层的导带高度提高，势阱被抬高；在缓冲层的背景载流子浓度降低的情况下，可以改善器件的夹断特性；同时势垒高度的增大也抑制了沟道中的电子向缓冲层的注入，从而减小器件的泄漏电流，2DEG被限制在沟道层内，提高了栅极对2DEG的控制能力。因此本发明提高了缓冲层的导带高度并提高二维电子气的局限性，改善击穿电压，进而提高了晶体管器件抗击穿电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背势垒高 电子 迁移率 晶体管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背势垒高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括形成于底层的衬底；外延生长于衬底上的AlXGa1‑XN缓冲层，其中0＜x≤0.15；外延生长于AlXGa1‑XN缓冲层上的GaN沟道层；沉积在GaN沟道层上的Al0.3Ga0.7N势垒层；所述沟道层和势垒层之间用于形成二维电子气；沉积在势垒层上的氮化硅层；所述氮化硅层刻蚀栅极、源极和漏极；所述栅极分布在源极和漏极之间。
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