[发明专利]优化鳍式场效晶体管结构的方法以及鳍式场效晶体管有效
| 申请号： | 201611018097.4 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106356305B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化鳍式场效晶体管结构的方法以及鳍式场效晶体管。该优化鳍式场效晶体管结构的方法包括：在衬底上形成鳍结构；在衬底上沉积氧化硅层，并且对氧化硅层进行平坦化以使得氧化硅层的表面与鳍结构顶部齐平；对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻以露出鳍结构的上部鳍段；对上部鳍段进行表面处理，以使得上部鳍段的表面为经表面处理的表面；对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻以露出鳍结构的中部鳍段；通过氧化在上部鳍段和中部鳍段的暴露表面上形成栅极介质层；沉积栅极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 鳍式场效 晶体管 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种优化鳍式场效晶体管结构的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上形成鳍结构；第二步骤：在衬底上沉积氧化硅层，并且对氧化硅层进行平坦化以使得氧化硅层的表面与鳍结构顶部齐平；第三步骤：对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻以露出鳍结构的上部鳍段；第四步骤：对上部鳍段进行表面处理，以使得上部鳍段的表面为经表面处理的表面；第五步骤：对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻以露出鳍结构的中部鳍段；第六步骤：通过氧化在上部鳍段和中部鳍段的暴露表面上形成栅极介质层；第七步骤：沉积栅极材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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