[发明专利]一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法，包括采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度为500‑900℃；高温区为锌源，温度为850‑1100℃，锌源为氧化锌和碳粉的混合物；调整双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为10℃/min，通入纯度为99.99％的氮气和纯度为99.99％的氧气的混合载气，当低温区、高温区达到各自的温度后，保温20‑30min，关断混合载气，然后抽真空、自然冷却到室温，得到MgZnO纳米线阵列。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备种子层，完全是无催化剂条件，在20‑30min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。

主权项

一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度为500‑900℃；高温区为锌源，温度为850‑1100℃；镁源为纯度为99.999％的镁粉，锌源为氧化锌和碳粉的混合物，其中氧化锌和碳粉的质量比例是1～2:1；步骤2，将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，将硅衬底放置于双温区化学气相沉积管式炉中，调整双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为10℃/min，通入纯度为99.99％的氮气和纯度为99.99％的氧气的混合载气，其中氮气和氧气的流量比为99:1，当低温区、高温区达到各自的温度后，保温20‑30min，关断混合载气，然后将双温区化学气相沉积管式炉抽成真空，之后自然冷却到室温，硅片上有一层白色或灰白色的物质，即得到MgZnO纳米线阵列。