[发明专利]半导体装置结构的形成方法

摘要

本公开提供半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包含在半导体基底上形成介电层。半导体装置结构的形成方法还包含在介电层内形成开口。介电层的第一部分的介电常数小于介电层围绕开口的第二部分的介电常数。半导体装置结构的形成方法还包含在开口内形成导电特征部件。第二部分位于第一部分与导电特征部件之间。再者，半导体装置结构的形成方法包含将第一部分的上部改质，以增加第一部分的上部的介电常数。半导体装置结构的形成方法也包含去除第一部分的上部及第二部分。由本公开的一些实施例的方法形成的半导体装置结构的装置性能及可靠度可显著地提升。

主权项

一种半导体装置结构的形成方法，包括：在半导体基底上形成介电层；在该介电层内形成开口，其中该介电层的第一部分的介电常数小于该介电层围绕该开口的第二部分的介电常数；在该开口内形成导电特征部件，其中该第二部分位于该第一部分与该导电特征部件之间；将该第一部分的上部改质，以增加该第一部分的该上部的介电常数；以及去除该第一部分的该上部及该第二部分。