[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611018352.5 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107845609A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/14;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包含一基板；位于该基板上方的一接垫；位于该基板上方、局部覆盖该接垫且包含一突出部的一保护层，其中该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方的一传导层；以及位于该传导层上方的一第二保护层，其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板；一接垫，位于该基板上方；一第一保护层，位于该基板上方，环绕该接垫，并且包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；一传导层，位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方；以及一第二保护层，位于该传导层上方；其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。
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