[发明专利]一种中大磁场全象限测量方法

摘要

本发明公开了一种中大磁场全象限测量方法，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括：将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中；确定最小阻值的两个磁阻电阻，进而确定另外两个磁阻电阻处于S1状态，并令处于S1状态的两个磁阻电阻的阻值为R₁，R₂，同时将无磁场时这个两个磁阻电阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向根据这两个磁阻电阻的阻值分别计算这两个磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角；分别根据这两个磁阻电阻的给定参考层磁化方向及自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出这两个磁阻电阻的自由层磁化方向；根据这两个磁阻电阻的给定参考层磁化方向、自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向等。

主权项

1.一种中大磁场全象限测量方法，其特征在于，包括：步骤1：将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中；其中第一磁阻电阻与第三磁阻电阻位于一条直线上，第二磁阻电阻与第四磁阻电阻位于另一条直线上，所述一条直线与所述另一条直线垂直；四个磁阻电阻自由层的内部易轴偏置磁场大于各向异性场；步骤2：确定最小阻值的两个磁阻电阻，进而确定另外两个磁阻电阻处于S1状态，并令处于S1状态的两个磁阻电阻的阻值为R₁，R₂，同时将无磁场时处于S1状态的两个磁阻电阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向S1状态是指磁阻电阻的自由层磁畴处于易轴正方向；步骤3：根据阻值R1，R2分别计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角；步骤4：分别根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向及两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向；步骤5：根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向和自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向；步骤6：将本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向与前一次计算结果相比，若两次结果的差值大于设定阈值，则根据本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向更新两个处于S1状态的磁阻电阻的参考层磁化方向并将其作为新的给定的参考层磁化方向并再次执行步骤2～步骤6，直到两次结果的差值小于设定阈值。