[发明专利]一种洁净转移制备高完整度悬空石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201611019356.5 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106435727B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;刘忠范;张金灿;林立 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯洁净转移制备高完整度悬空石墨烯薄膜的方法。该方法包括：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述二维材料由所述生长基底至所述目标透射基底的转移；所述用置换液置换步骤包括如下步骤：先用水，再用由低表面张力有机溶剂和水组成的混合溶液进行置换。该方法工艺简单，可重复性高，兼容性强，可大规模生产，可转移石墨烯单个畴区尺寸从几十微米到亚厘米级均可从，单层石墨烯完整度高90％，少层石墨烯无破损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 洁净 转移 制备 完整 悬空 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转移二维材料的方法，包括如下步骤：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述二维材料由所述生长基底至所述目标透射基底的转移；所述用置换液置换步骤包括如下步骤：先用水，再用由低表面张力有机溶剂和水组成的混合溶液进行置换。
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