[发明专利]一种用于双栅器件的键合方法在审
申请号: | 201611019715.7 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106449450A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 刘洪刚;徐杨;王盛凯;常虎东;孙兵;龚著靖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 乔东峰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于双栅器件的键合方法。本方法包括:在器件功能层面向器件衬底层的一面制作上金属层;在器件衬底层面向器件功能层的一面制作绝缘层;在器件衬底绝缘层上制作下金属层;将洁净处理后的上下金属层通过金属键合方法键合起来,形成背栅金属层;在器件功能层上进行后续的器件制作工艺。本发明通过上下金属层间的键合,同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合,无须增加额外的金属键合层,所形成的背栅金属层厚度可以与设计要求极为贴近,并不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容。键合形成的中间层很小,背栅金属的功函数基本不受影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于双栅器件的键合方法,所述双栅器件包括器件功能层和器件衬底层,在器件功能层与器件衬底层之间形成有背栅金属层,其特征在于,包括如下步骤:在所述器件功能层面向器件衬底层的一面制作上金属层;在器件衬底层面向器件功能层的一面制作绝缘层;在绝缘层上制作下金属层;将所述上金属层和所述下金属层通过金属键合方法键合起来,形成所述背栅金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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