[发明专利]一种用于双栅器件的键合方法在审

专利信息
申请号: 201611019715.7 申请日: 2016-11-17
公开(公告)号: CN106449450A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 刘洪刚;徐杨;王盛凯;常虎东;孙兵;龚著靖 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 乔东峰
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于双栅器件的键合方法。本方法包括:在器件功能层面向器件衬底层的一面制作上金属层;在器件衬底层面向器件功能层的一面制作绝缘层;在器件衬底绝缘层上制作下金属层;将洁净处理后的上下金属层通过金属键合方法键合起来,形成背栅金属层;在器件功能层上进行后续的器件制作工艺。本发明通过上下金属层间的键合,同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合,无须增加额外的金属键合层,所形成的背栅金属层厚度可以与设计要求极为贴近,并不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容。键合形成的中间层很小,背栅金属的功函数基本不受影响。
搜索关键词: 一种 用于 器件 方法
【主权项】:
一种用于双栅器件的键合方法,所述双栅器件包括器件功能层和器件衬底层,在器件功能层与器件衬底层之间形成有背栅金属层,其特征在于,包括如下步骤:在所述器件功能层面向器件衬底层的一面制作上金属层;在器件衬底层面向器件功能层的一面制作绝缘层;在绝缘层上制作下金属层;将所述上金属层和所述下金属层通过金属键合方法键合起来,形成所述背栅金属层。
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