[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611019931.1 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106971947A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶松峯;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。该方法包括提供第一半导体工件；在半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在对预定波长范围内的光具有透射性的衬底上沉积第二膜；以及在预定接合温度和预定接合压力下将第一膜接合至第二膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供第一半导体工件；在所述第一半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在衬底上沉积第二膜；以及将所述第一膜接合至所述第二膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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