[发明专利]一种制备C/SiC复合材料的方法有效

专利信息
申请号: 201611020022.X 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN108069724B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 王鹏;于新民;李晓东;孙同臣;刘俊鹏;霍鹏飞;马宇亮;孔英杰 申请(专利权)人: 航天特种材料及工艺技术研究所
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/84;C04B35/52;C04B41/87;C04B35/573;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种制备C/SiC复合材料的方法,通过制备C/C复合材料、混合树脂配制、混合树脂涂抹在C/C复合材料表面、预固化、高温熔渗等步骤得到C/SiC复合材料。本发明通过配制混合树脂,硅粉能容易地布置在所需熔渗的构件部位,解决RMI工艺制备复杂形状C/SiC材料均匀布硅的难题,可有效调节熔渗反应,得到反应均衡的C/SiC复合材料,适宜制备大尺寸构件。
搜索关键词: 一种 制备 sic 复合材料 方法
【主权项】:
1.一种制备C/SiC复合材料的方法,其特征在于,通过以下步骤实现:第一步,制备C/C复合材料;第二步,混合树脂配制,将硅粉与环氧树脂体系均匀混合制成混合树脂,所述的混合树脂的邵氏硬度为HA10~HA30;第三步,将第二步制备得到的混合树脂涂抹在第一步得到的C/C复合材料所需熔渗表面,并压实;第四步,预固化,将第三步得到的C/C复合材料在预固化温度TYG下,保温不低于0.5小时,不高于2小时,TYG的取值范围为TJ~TJ+50℃,TJ为环氧树脂交联固化的开始温度;第五步,高温熔渗,得到C/SiC复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天特种材料及工艺技术研究所,未经航天特种材料及工艺技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611020022.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top