[发明专利]一种制备C/SiC复合材料的方法有效
申请号: | 201611020022.X | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108069724B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 王鹏;于新民;李晓东;孙同臣;刘俊鹏;霍鹏飞;马宇亮;孔英杰 | 申请(专利权)人: | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83;C04B35/84;C04B35/52;C04B41/87;C04B35/573;C04B35/622 |
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摘要: | 本发明提出一种制备C/SiC复合材料的方法,通过制备C/C复合材料、混合树脂配制、混合树脂涂抹在C/C复合材料表面、预固化、高温熔渗等步骤得到C/SiC复合材料。本发明通过配制混合树脂,硅粉能容易地布置在所需熔渗的构件部位,解决RMI工艺制备复杂形状C/SiC材料均匀布硅的难题,可有效调节熔渗反应,得到反应均衡的C/SiC复合材料,适宜制备大尺寸构件。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 sic 复合材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备C/SiC复合材料的方法,其特征在于,通过以下步骤实现:第一步,制备C/C复合材料;第二步,混合树脂配制,将硅粉与环氧树脂体系均匀混合制成混合树脂,所述的混合树脂的邵氏硬度为HA10~HA30;第三步,将第二步制备得到的混合树脂涂抹在第一步得到的C/C复合材料所需熔渗表面,并压实;第四步,预固化,将第三步得到的C/C复合材料在预固化温度TYG 下,保温不低于0.5小时,不高于2小时,TYG 的取值范围为TJ ~TJ +50℃,TJ 为环氧树脂交联固化的开始温度;第五步,高温熔渗,得到C/SiC复合材料。
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