[发明专利]一种二阶非线性光学晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201611022049.2 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106521630A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵华俊;伍远辉 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 563002 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种二阶非线性光学晶体及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。本发明采用高温无机固相一步合成法进行合成。合成条件在900‑1000℃下反应4‑5天。在本发明中，二阶非线性光学晶体Ce8Sb2S15结晶于四方非心空间群I41cd，主要结构特征含有同向排列的三角锥构型的SbS3阴离子，它们被稀土离子和硫离子隔开。本发明已成功地合成Ce8Sb2S15的单晶和纯相。本发明获得的非线性光学晶体材料的合成方法简单，产率高，产物具有化学物相单一，均匀性好，具有潜在的红外非线性光学应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二阶非线性光学晶体，其特征在于，其分子式为：Ce8Sb2S15，该化合物属四方晶系，结晶于非心空间群：I41cd，主要结构特征含有三角锥构型的SbS3阴离子，三角锥构型的SbS3阴离子被稀土离子和硫离子隔开。
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