[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：绝缘基板；源漏电极层，其形成在所述绝缘基板上；有机半导体层，其形成在所述源漏电极层上，包括高分子基底以及分散在所述高分子基底中的多个碳纳米管，所述高分子基底的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕；自图案化有机栅绝缘层，其形成在所述有机半导体层上；所述自图案化有机栅绝缘层内设置有第一过孔，所述第一过孔的纵向截面为第一梯形，且所述第一梯形的长底边位于朝向所述绝缘基板的一侧；栅电极层，其形成在所述自图案化有机栅绝缘层上；有机平坦化层，其形成在所述栅电极层上；所述有机平坦化层内设置有第二过孔，所述第二过孔的纵向截面为第二梯形，且所述第二梯形的长底边位于远离所述绝缘基板的一侧；所述第二过孔位于所述第一过孔之内；像素电极，其通过有机平坦化层具有的第二过孔连接漏极且所述像素电极的上端部的外沿搭接在有机平坦化层的上表面。