[发明专利]一种场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611022835.2 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106784001B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;张日清;斯蒂芬.巴德尔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。该方法包括：在半导体衬底上形成具有超晶格特征的支撑结构，该支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层，支撑结构的两侧设置有隔离层；沿着隔离层与支撑结构的交界形成覆盖支撑结构的假栅结构，假栅结构在栅长方向的长度小于第一半导体材料层在栅长方向的长度；沿栅长方向，去除第一半导体材料层中除牺牲层以外的区域，形成绝缘凹槽，绝缘凹槽中所填充的介质的介电常数小于第一半导体材料层的介电常数；沿栅长方向，在预设的源漏区域形成源极和漏极，源极和漏极通过绝缘凹槽与牺牲层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成具有超晶格特征的支撑结构，所述支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层，所述支撑结构的两侧设置有隔离层；沿着所述隔离层与所述支撑结构的交界形成覆盖所述支撑结构的假栅结构，所述假栅结构在栅长方向的长度小于所述第一半导体材料层在所述栅长方向的长度，所述栅长方向用于指示所述场效应晶体管中载流子的输运方向；沿所述栅长方向，去除所述第一半导体材料层中除牺牲层以外的区域，形成绝缘凹槽，所述牺牲层为所述第一半导体材料层中所述假栅结构沿目标方向的投影区域，所述绝缘凹槽中填充的介质的介电常数小于所述第一半导体材料层的介电常数，所述目标方向为垂直于所述半导体衬底底面的方向；沿所述栅长方向，在预设的源漏区域形成源极和漏极，所述源极和漏极通过所述绝缘凹槽与所述牺牲层隔离。
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