[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池的制备方法；其包括如下步骤：硅片表面制绒；硅片的一面先集成扩散形成高表面浓度、厚杂质玻璃层、浅结深的PN结，再激光推进形成高低掺杂的PN结，然后沉积减反射钝化层；形成双面金属接触，得到太阳能电池；其中，集成扩散包括：第一步低温扩散，在表面沉积一定的杂质源，再高温推进；第二步低温扩散，再低温退火；第三步低温扩散。本发明的太阳能电池的制备方法，采用集成扩散工艺，提高了方阻的均匀性，同时可获得均匀性较好的重掺区，在扩散面形成明显扩散高低PN结，降低了串联电阻，增加了填充因子，改善了电池的短波光谱响应，提高了短路电流和开路电压，从而提高了电池效率。

主权项

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：硅片表面制绒；所述硅片的一面先集成扩散形成高表面浓度、厚杂质玻璃层、浅结深的PN结，再激光推进形成高低掺杂的PN结，然后沉积减反射钝化层；形成双面金属接触，得到太阳能电池；其中，所述集成扩散包括如下步骤：1)、第一步低温扩散，在表面沉积一定的杂质源，再高温推进，形成0.2～0.3um的结深；2)、第二步低温扩散，以使表面浓度大于10E21cm‑2，再低温退火，退火时间大于等于40min；3)、第三步低温扩散，形成30～80nm的杂质玻璃层。