[发明专利]一种硅片的刻蚀方法及刻蚀设备

摘要

本发明公开了一种硅片的刻蚀方法，将硅片依次经过第一水洗处理、预处理、第二次水洗处理、刻蚀处理、第三次水洗处理、酸洗处理、第四次水洗处理和干燥处理得到反射率为48‑52％的硅片成品；本发明还公开了一种硅片的刻蚀设备，包括依次顺序连接的入料装置、第一水洗槽、预处理槽，第二水洗槽、刻蚀槽、第三水洗槽、酸洗槽、第四水洗槽、烘干装置和出料装置。本发明的硅片刻蚀方法对硅片的刻蚀深度≥5μm；本发明的硅片刻蚀方法采用氢氧化钠或氢氧化钾作为刻蚀溶液，减少了氨碳的排放，有利于环保；本发明的硅片刻蚀设备结构简单，实现了硅片的自动化刻蚀技术。

主权项

一种硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.第一次水洗处理：将硅片通过入料装置(1)传送至第一水洗槽(2)中，在硅片表面形成水膜，保护硅片表面的磷硅玻璃；S2.预处理：在预处理槽(3)中采用氢氟酸溶液洗去硅片边缘和下表面的磷硅玻璃；S3.第二次水洗处理：在第二次水洗槽(4)中用水洗去硅片表面残留的氢氟酸溶液；S4.刻蚀处理：在刻蚀槽(5)中对硅片进行碱性刻蚀处理；S5.第三次水洗处理：在第三次水洗槽(6)中用水洗去硅片表面残留的碱性溶液；S6.酸洗处理：将硅片置于酸洗槽(7)中，去除硅片上表面的磷硅玻璃；S7.第四次水洗处理：在第四次水洗槽(8)中用水洗去硅片表面残留的酸性溶液；S8.干燥处理：将硅片置于烘干装置(9)中进行干燥处理得到硅片成品，然后将硅片成品通过出料装置(10)传出。