[发明专利]一种小磁场测量方法

摘要

本发明公开了一种小磁场测量方法，涉及磁场测量技术领域。本发明采用的技术方案包括：步骤1：采集位于待测磁场中至少两个磁阻电阻的阻值R₁，R₂；两个磁阻电阻呈一定夹角θ′放置；步骤2：将其中一个磁阻电阻的阻值R₁及其固有参数带入公式R＝k_mcos(θ‑θ₀)H+R₀，将另一个磁阻电阻的阻值R₂及其固有参数带入公式R＝k_mcos(θ‑θ₀‑θ′)H+R₀得到二元方程组；步骤3：求解所述两个二元方程组，得到待测量磁场的磁场强度H及方向θ等。

主权项

1.一种小磁场测量方法，其特征在于，包括：步骤1：采集位于待测磁场中至少两个磁阻电阻的阻值R1，R2；两个磁阻电阻呈一定夹角θ′放置；步骤2：将其中一个磁阻电阻的阻值R1及其固有参数带入公式R＝kmcos(θ‑θ0)H+R0，将另一个磁阻电阻的阻值R2及其固有参数带入公式R＝kmcos(θ‑θ0‑θ′)H+R0得到二元方程组：其中，R为置于待测磁场中磁阻电阻的阻值，H为待测量磁场的磁场强度，θ为待测磁场的磁场方向，R0为零磁场时磁阻电阻的阻值；式中，分别为磁阻电阻置于零磁场时自由层的饱和磁化方向以及参考层的饱和磁化方向；式中，H_AF、H_AR分别为磁阻电阻自由层的各项异性场幅值及参考层的各项异性场幅值；h_BF＝H_BF/H_AF，H_BF、θ_BF分别为磁阻电阻自由层的内部偏置磁场幅值及方向；h_BR＝H_BR/H_AR，H_BR、θ_BR分别为磁阻电阻参考层的内部偏置磁场幅值及方向；步骤3：求解步骤2中的二元方程组，得到待测量磁场的磁场强度H及方向θ。