[发明专利]基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途在审
| 申请号： | 201611024235.X | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107741446A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 李承勇;全沁果;申国柱;千忠吉;周春霞;洪鹏志 | 申请（专利权）人： | 广东海洋大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 524088 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器，将DNA分子修饰在纳米多孔氧化铝膜中的纳米通道内，利用Hg2+和DNA分子内的T碱基分子的特殊配位反应(T‑Hg2+‑T)，对水溶液体系中的Hg2+经行特异性识别，并通过电化学工作站监测探针离子Fe(CN)63‑在纳米通道中的流量变化对Hg2+进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 通道 效应 离子 电化学传感器 及其 用途 | ||
【主权项】：
基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器，其包括修饰有DNA分子的多孔氧化铝膜，含有KCl溶液和铁氰化钾溶液的电解池。
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