[发明专利]垂直沟道型浮栅闪存及其制造方法

摘要

本发明提供一种垂直沟道型浮栅闪存及其制造方法，该制造方法是通过将水平沟道结构的浮栅型闪存改为垂直沟道结构的浮栅型闪存，降低工艺成本的同时，增大了闪存的存储密度。该垂直沟道型浮栅闪存，由于其半导体衬底的单个沟槽中形成有一个控制栅和多个浮栅，因此能在单个沟槽内实现多个位的存储。

主权项

1.一种垂直沟道型浮栅闪存的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，刻蚀半导体衬底以在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽中的底部形成一定厚度的第一氧化层；在所述第一氧化层上从下往上依次在所述沟槽中形成多个填充结构，每个填充结构包括一定高度的沟槽内侧墙、填充在所述沟槽内侧墙之间并与所述沟槽内侧墙等高的介质层、以及覆盖所述沟槽内侧墙和介质层上表面的牺牲层，且最上层的填充结构的牺牲层的上表面低于所述沟槽顶端；在所述最上层的填充结构的牺牲层上方的沟槽侧壁形成顶层内侧墙；至少去除所述最上层的填充结构的介质层和牺牲层，以暴露出沟槽侧壁部分半导体衬底表面；采用与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型离子，对所述暴露出的沟槽侧壁部分半导体衬底表面进行掺杂；去除所述顶层内侧墙以及暴露出的沟槽内侧墙，所述暴露出的沟槽内侧墙为去除所述介质层和牺牲层而暴露出的沟槽内侧墙；在所述沟槽的侧壁和底部形成隧穿氧化层，并在所述沟槽中的隧穿氧化层表面上形成多层浮栅层，相邻浮栅层之间形成有隔离氧化层；刻蚀所述浮栅层和隔离氧化层，将所述沟槽中的浮栅层分割开，形成控制栅沟槽；在所述控制栅沟槽中依次形成栅隔离层和控制栅层。