[发明专利]一种低介电常数二乙炔基聚合物、其制备方法及其用途有效
申请号: | 201611024682.5 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106496529B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 杨光;申洪岩;王哲 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C08G61/02 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 100191 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种二乙炔基聚合物、其制备方法及其用途。本发明所述的聚合物不仅具有低介电常数,而且热稳定性好,固化温度低,可作为耐高温材料、疏水材料以及电子电气行业电子元器件的封装材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 乙炔 聚合物 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】:
1.一种二乙炔基聚合物,其特征在于:所述聚合物包含衍生自如下炔丙基醚单体的结构单元:
以及一种或多种衍生自下列共聚单体的结构单元:
其中:R1和R2相同或者不同,且彼此独立地为非极性基团;R3为:![]()
R4和R5相同或不同,且彼此独立地为非极性基团;条件是R4和R5不与R1和R2完全相同。
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