[发明专利]具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611025461.X | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106449641B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;钟汇才;张严波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法以及包括这种半导体设置的电子设备。根据实施例，一种半导体设置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；以及在栅堆叠的侧壁以及伪栅的侧壁上形成的侧墙，其中，在第二方向上对准的至少第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙或者在第二方向上对准的至少一个栅堆叠和至少一个伪栅的侧墙一体延伸，其中，至少一些鳍的端部邻接伪栅，且与相应的侧墙的内壁实质上对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 半导体 设置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设置，包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；以及在栅堆叠的侧壁以及伪栅的侧壁上形成的侧墙，其中，在第二方向上对准的至少第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙或者在第二方向上对准的至少一个栅堆叠和至少一个伪栅的侧墙一体延伸，其中，至少一些鳍的端部邻接伪栅，且与相应的侧墙的内壁实质上对准。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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