[发明专利]一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法在审
| 申请号： | 201611025877.1 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106529059A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 谢生;罗学涛;毛陆虹 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 李林娟 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法，所述建模方法基于遗传算法，所述建模方法包括以下步骤在一定辐射强度的光功率和反向偏置电压下，对双光电探测器的散射参数进行测量；在考虑器件光生载流子输运时间及物理结构的基础上，建立等效电路模型，并基于遗传算法提取其模型参数；将等效电路的散射参数特性曲线与实际测试数据进行比对，验证模型的精确性。本发明采用遗传算法对光电探测器的S21和S22散射参数进行拟合，基于评价函数提取模型参数，使其能够准确地反映实际双光电探测器的特性。本发明所述建模方法不需要大量的测试数据，可有效降低不精确测试数据带来的误差，保证所建模型的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 标准 cmos 工艺 光电 探测器 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法，其特征在于，所述建模方法基于遗传算法，所述建模方法包括以下步骤：在一定辐射强度的光功率和反向偏置电压下，对双光电探测器的散射参数进行测量；在考虑器件光生载流子输运时间及物理结构的基础上，建立等效电路模型，并基于遗传算法提取其模型参数；将等效电路的散射参数特性曲线与实际测试数据进行比对，验证模型的精确性。
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