[发明专利]一种阵列基板、显示面板及制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及制作方法，所述阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，所述第一薄膜晶体管包含金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区。本发明通过在阵列基板显示区使用金属氧化物薄膜晶体管，在阵列基板周边电路区使用非晶硅薄膜晶体管，解决了金属氧化物薄膜晶体管无法同时满足显示面板对正偏压稳定性和阈值电压要求的问题，实现了在改善画面显示效果的同时，提高周边电路区稳定性和良率。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，所述第一薄膜晶体管包含金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区；所述阵列基板的显示区包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括至少两个第一薄膜晶体管以及至少一个电容；所述阵列基板包括：金属氧化物半导体层；所述金属氧化物半导体层形成于所述衬底基板上方，且位于所述阵列基板的显示区；第一绝缘层；所述第一绝缘层形成于所述金属氧化物半导体层上方；第一栅极和第二栅极；所述第一栅极形成于所述第一绝缘层上方，且位于所述阵列基板的显示区；所述第二栅极形成于所述衬底基板上，且位于所述阵列基板的周边电路区；第二绝缘层；所述第二绝缘层形成于所述第一栅极、所述第二栅极、所述金属氧化物半导体层以及所述衬底基板上；非晶硅半导体层；所述非晶硅半导体层形成于所述第二绝缘层上方，且位于所述阵列基板的周边电路区；第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极形成于所述第二绝缘层上方；所述第二绝缘层对应所述金属氧化物半导体的区域设置有第一过孔；所述第一源极和所述第一漏极通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述非晶硅半导体层连接；第三绝缘层；所述第三绝缘层形成于所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极以及所述第二绝缘层的上方，所述第三绝缘层上对应所述第一漏极的区域形成有第二过孔；像素电极；所述像素电极形成于所述第三绝缘层上方，所述像素电极通过所述第二过孔与所述第一漏极连接。