[发明专利]一种考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法有效
申请号: | 201611026172.1 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108072337B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 陶宁;曾智;李晓丽;冯立春;王迅;沈京玲;张存林 | 申请(专利权)人: | 首都师范大学;重庆师范大学;北京维泰凯信新技术有限公司 |
主分类号: | G01B15/00 | 分类号: | G01B15/00 |
代理公司: | 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 100037 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法,包括以下步骤:S1:使用脉冲加热设备对被测物体进行加热,同时使用红外热成像装置获得被测物体表面的热图序列数据;S2:对所获得的热图序列数据,求取所述热图序列数据的对数温度‑对数时间的二阶微分函数,并提取所述二阶微分函数中对应峰值时刻t | ||
搜索关键词: | 热图序列 被测物体 微分函数 物体缺陷 测量 二阶 红外热成像装置 被测物体表面 脉冲加热设备 测量缺陷 峰值时刻 半高宽 算法 校正 加热 | ||
【主权项】:
1.一种考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:使用脉冲加热设备对被测物体进行加热,同时使用红外热成像装置获得被测物体表面的热图序列数据;/nS2:对所获得的热图序列数据,求取所述热图序列数据的对数温度-对数时间的二阶微分函数,并提取所述二阶微分函数中对应峰值时刻t
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