[发明专利]晶圆及其制备方法在审
| 申请号： | 201611026608.7 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106409763A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;方冬;章文通;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆及其制备方法，包括多个结构相同的晶粒，每个晶粒中间的超结元胞结构包括P型掺杂区与N型掺杂区，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开；制备方法包括以下步骤(1)采用N型硅片作材料A，采用P型硅片作材料B；(2)材料B正面注入氢离子；(3)材料A按图形刻槽，材料B按相反的图形刻槽；(4)形成槽的材料B与形成槽的材料A对接，合成一块半导体C；(5)材料B底部剥离，重复利用；(6)晶圆表面处理；本发明晶圆无需多次注入、多层外延，简化了工艺流程，从而降低制作成本，晶圆可形成超高深宽比的P‑N条，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆，其特征在于：包括多个结构相同的晶粒(2)，每个晶粒(2)中间的超结元胞结构包括P型掺杂区(3)与N型掺杂区(4)，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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