[发明专利]一种优化的极大磁场测量方法及装置有效
| 申请号： | 201611027078.8 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106772149B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 胡军;欧阳勇;何金良;王善祥;赵根;王中旭;曾嵘;庄池杰;张波;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学;清华四川能源互联网研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 袁春晓 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化的极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，获取各隧穿磁阻电阻的阻值；根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角；根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ；根据方向θ对磁场强度H0进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 隧穿磁阻 磁场 外加磁场 磁场测量 磁化方向 参考层 自由层磁化方向 夹角计算 优化 技术要点 正交配置 阻值计算 自由层 | ||
【主权项】：
1.一种优化的极大磁场测量方法，其特征在于，包括：步骤1：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，并获取各个隧穿磁阻电阻的阻值；第一隧穿磁阻电阻与第三隧穿磁阻电阻位于一条直线上，第二隧穿磁阻电阻与第四隧穿磁阻电阻位于另一条直线上，所述一条直线与所述另一条直线垂直；步骤2：根据四个隧穿磁阻电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角；步骤3：根据第一隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角以及第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角以及第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；步骤4：根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ；步骤5：根据方向θ对磁场强度H0进行优化。
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