[发明专利]石斛育苗方法有效

专利信息
申请号: 201611027267.5 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN106718875B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 陈文;敖静;张云霞 申请(专利权)人: 深圳市华盛实业股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种石斛育苗方法,该方法包括:a、将带节的石斛茎段在培养基中培养,诱导腋芽;b、待腋芽生长高度超过1cm时,将芽点切除,诱导丛生芽;c、待众生芽生长达到1cm~2cm时,切割丛生芽,丛生芽进行增值及生根培养,并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养,诱导愈伤组织;d、当愈伤组织形成后,将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养,诱导丛生芽;e、将丛生芽转入培养基中增殖培养;f、当丛生芽生长高度达到2cm~3cm时,将其转入培养基中进行生根培养。本发明的技术方案可以有效的增加扩繁数量,从而能生产出大量优质的石斛苗。
搜索关键词: 石斛 育苗 方法
【主权项】:
1.一种石斛育苗方法,其特征在于,包括以下步骤:a、将带节的石斛茎段在培养基中培养,诱导腋芽;b、待腋芽生长高度超过1cm时,将芽点切除,诱导丛生芽;c、待众生芽生长达到1cm~2cm时,切割丛生芽,丛生芽进行增殖及生根培养,并将切割完丛生芽的原茎段放入培养基中培养,诱导愈伤组织;d、当愈伤组织形成后,将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养,诱导丛生芽;e、将丛生芽转入培养基中增殖培养;f、当丛生芽生长高度达到2cm~3cm时,将其转入培养基中进行生根培养;其中,茎段诱导腋芽的培养基为:MS,NAA:0.4mg/L~0.6mg/L,6‑BA:1.0mg/L~2.0mg/L,KT:0.2mg/L~0.4mg/L,香蕉:10g/L~25g/L,碳粉:0.2g/L~1.0g/L;茎段诱导愈伤组织培养基为:1/2MS培养基,花宝4号:1.0~2.0g/L,香蕉:40g/L~60g/L,NAA:0.3mg/L~0.4mg/L,6‑BA:0mg/L~2.0mg/L,KT:0.1mg/L~0.3mg/L,碳粉:0.2~1.0g/L;步骤e中增殖 培养基配方为:1/2MS培养基,花宝4号:1.0~2.0g/L,香蕉:40g/L~60g/L,碳粉0.2g/L~1.0g/L,NAA:1.0mg/L~1.2mg/L,6‑BA:1.5mg/L~1.7mg/L;生根培养基的配方为:1/2MS培养基,香蕉:100g/L~120g/L,碳粉0.2g/L~1.0g/L,NAA:0.5mg/L~1.5mg/L,IBA:0.5mg/L~1.0mg/L。
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