[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611027439.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107039483A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;廖均恒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括逻辑区域和邻近逻辑区域的存储区域。存储区域包括第N金属层的第一第N金属线、位于第一第N金属线上方的磁性隧道结(MTJ)和第(N+1)金属层的第一第(N+1)金属通孔，第一第(N+1)金属通孔设置在MTJ层上方。N为大于或等于1的整数。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：逻辑区域；存储区域，邻近所述逻辑区域，所述存储区域包括：第N金属层的第一第N金属线；磁性隧道结，位于第一第N金属线上方；以及第(N+1)金属层的第一第(N+1)金属通孔，所述第一第(N+1)金属通孔设置在所述磁性隧道结上方，其中，N为大于或等于1的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
