[发明专利]一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法有效
申请号: | 201611027701.X | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN106653654B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 江旻;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法,通过在单步骤的颗粒监测方法的基础上增加缩短时间的全步骤的颗粒监测方法,不仅有效的监测了多步骤干法刻蚀机台产生的所有颗粒,并且增加了颗粒有无特殊分布的检查和对大颗粒的规格控制,增强了颗粒监测的灵敏度,减少了产品事故的概率。 | ||
搜索关键词: | 一种 步骤 刻蚀 机台 颗粒 监测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:提供检测片A,使用单步骤的颗粒监测方法,使用主刻蚀步骤,监测主刻蚀步骤的增加颗粒总数和增加大颗粒数;其中,采用与实际刻蚀步骤相同的反应条件对检测片A进行刻蚀;步骤2:提供检测片B,使用缩短时间的全步骤的颗粒监测方法,缩短每个步骤的反应时间,监测多步骤干法刻蚀工艺的增加总颗粒的分布和增加大颗粒数;其中,设定反应条件,缩短各个步骤的反应时间,其余反应条件不变,然后进行一体化刻蚀;步骤3:分析步骤1和步骤2的数据,判断检测结果,当步骤1和步骤2监测到的数据皆满足规格要求时,则产品合格,当任意一项数据不满足规格要求时,则产品不合格。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611027701.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造