[发明专利]一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器有效

专利信息
申请号: 201611027876.0 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN106451058B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 董俊;张明明 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01S3/11 分类号: H01S3/11;H01S3/16
代理公司: 35200 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上;激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。
搜索关键词: 一种 激光 模式 调控 被动 激光器
【主权项】:
1.一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,其特征在于设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,所述偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、第一透镜、第二透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上,第一透镜固定在三维调整架上,其位置可以侧向移动;所述激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;所述激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中,激光器谐振腔后表面位置固定在泵浦光的聚焦光斑处,获得高光学转换效率的激光输出;所述调Q晶体采用Cr
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