[发明专利]一种大功率IGBT器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种大功率IGBT器件的制造方法，采用散热通道进行流体工质的整体性散热，提高散热效率；通过使用整体性的注塑壳体保证密封性，防止腐蚀；金属载片的使用可以一定程度的屏蔽外界电磁干扰；散热硅胶中分布有金属颗粒，可以保证芯片上部的快速散热。

主权项

1.一种大功率IGBT器件的制造方法，包括以下步骤：（1）提供临时载板，在临时载板上实施注塑树脂的注塑工序，用注塑树脂将一金属载片完全包围，所述金属载片是由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔，金属载片的四个侧壁的高度大于或等于多个大功率芯片的最大高度；（2）将所述注塑树脂固化成型，经过磨削工序得到长方体形状的注塑树脂固化体；（3）在所述注塑树脂固化体中形成一芯片容置腔体和多个散热通道以形成注塑壳体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔，所述金属载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述芯片容置腔体的四个侧壁中，所述散热通道用于流通有散热工质，使得每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述金属载片的下表面接触；（4）将多个大功率芯片通过绝缘导热胶固定于所述金属载片上，所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出；（5）用散热硅脂填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面。