[发明专利]化学气相沉积装置及其沉积方法有效
申请号: | 201611029745.6 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN106367735B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张宇顺 | 申请(专利权)人: | 张宇顺 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 张海英;林波 |
地址: | 523399 广东省东莞市塘厦*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种化学气相沉积装置,涉及薄膜制备技术领域。该装置包括反应室、与反应室相连通的制程气体入口和副产品抽出口,反应室内设有平台,平台上固定有平台面,用以承置基片;反应室中存有由制程气体所形成的电浆,反应室内腔中设有至少一电场装置,用以对反应室内的电浆产生电性吸力效应。本发明同时公开一种适用于该化学气相沉积装置的沉积方法。本发明利用电场装置对反应室中的电浆产生电性吸力效应,使电浆中的源材料或薄膜先前物在成膜之前发生移动,从而增进沉积薄膜的均匀性,同时还可有效控制并减小沉积薄膜的厚度,避免先前技术因沉积成较厚薄膜而须另进行研磨的麻烦,提升了电浆增强化学沉积反应室的使用效率及薄膜的制程效率。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积装置,包括反应室(10)、与反应室(10)相连通的制程气体入口(11)和副产品抽出口(12),所述反应室(10)内设有平台(13),所述平台(13)上固定有平台面(14),用以承置基片(20);所述反应室(10)中存有由制程气体所形成的电浆(30),其特征在于,所述制程气体入口(11)处设置有气体流量计;所述平台(13)内设置有加热器件,能对基片(20)进行加热,以提供形成电浆(30)所需的温度;所述平台面(14)为能够旋转的结构;所述反应室(10)内腔中设有至少一电场装置,用以对反应室(10)内的电浆(30)产生电性吸力效应;还包括射频磁场装置(60),所述射频磁场装置(60)设于所述反应室(10)内平台面(14)的中央下方处,用以控制沉积于基片(20)表面上的磊晶角度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的