[发明专利]一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201611030272.1 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106518075A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 贾德昌;梁斌;杨治华;王胜金;何培刚;段小明;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/80;C04B35/64;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人： | 范光晔 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法，属于Si‑B‑C‑N陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按照摩尔比和质量比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有LaB6的Si‑B‑C‑N陶瓷复合粉末；其中球料质量比为10～901，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的陶瓷复合粉末进行放电等离子烧结即可获得片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。本发明制备方法得到的硅硼碳氮陶瓷材料具有较高的断裂韧性，降低了陶瓷发生“灾难性”断裂的可能性；添加的稀土化合物LaB6促成了片层状BN(C)晶粒的原位生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 bn 晶粒 si 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤一、按照摩尔比和质量比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有LaB6的Si‑B‑C‑N陶瓷复合粉末；其中球料质量比为10～90:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的陶瓷复合粉末进行放电等离子烧结即可获得片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。
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