[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

摘要

薄膜晶体管的制备方法，属于半导体显示技术领域，本发明包括下述步骤：1)ITO玻璃衬底基片清洗；2)制备Al2O3:PVP绝缘层：ITO玻璃衬底上旋涂Al2O3:PVP前驱体溶液，然后在200℃～250℃条件下退火，然后重复旋涂——退火至少一次，得到Al2O3:PVP绝缘层；3)制备有缘层：在气压低于3×10‑4Pa的环境中，对步骤2)处理后的ITO玻璃衬底基片进行蒸镀，蒸镀材料为Pentacene材料，得到有缘层薄膜；4)制备源极和漏极：以Au作为源极和漏极的电极材料，在步骤3)处理后的基片的有缘层薄膜上蒸镀制备源电极和漏电极，蒸镀的气压低于3×10‑4Pa。本发明采用燃烧法只需要较低的引导温度，自产生的高能量可实现在低温下将前驱体转化成相应的氧化物。

主权项

薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)ITO玻璃衬底基片清洗；2)制备Al2O3:PVP绝缘层：ITO玻璃衬底上旋涂Al2O3:PVP前驱体溶液，然后在200℃～250℃条件下退火，然后重复旋涂——退火至少一次，得到Al2O3:PVP绝缘层；3)制备有缘层：在气压低于3×10‑4Pa的环境中，对步骤2)处理后的ITO玻璃衬底基片进行蒸镀，蒸镀材料为Pentacene材料，得到有缘层薄膜；4)制备源极和漏极：以Au作为源极和漏极的电极材料，在步骤3)处理后的基片的有缘层薄膜上蒸镀制备源电极和漏电极，蒸镀的气压低于3×10‑4Pa。