[发明专利]一种单轴MEMS加速度计有效
| 申请号： | 201611031240.3 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106771354B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单轴MEMS加速度计。该加速度计包括磁场源，用于产生梯度磁场，所述磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片，所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；所述隧道磁电阻芯片与所述磁场源位于同一直线上，所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线移动，所述隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上。本发明提供的单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大、体积小的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道磁电阻 芯片 磁场源 单轴 同一直线 加速度计 梯度磁场 直线移动 传感器 磁敏感 磁矩 磁场 感知 测量 | ||
【主权项】：
1.一种单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度计包括：磁场源，所述磁场源用于产生梯度磁场，所述磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片，所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；所述隧道磁电阻芯片与所述磁场源位于同一直线上，所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线移动，所述隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上，所述磁场源的尺寸小于所述磁场源到所述隧道式电阻芯片之间的距离。
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