[发明专利]一种黑硅太阳能电池结构及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种黑硅太阳能电池结构，包括N型硅衬底，N型硅衬底的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层及绝缘层，其中，B型扩散层的材质为硼酸盐，绝缘层的材质为SiNx层膜，绝缘层的上表面设置有P型金属电极；N型硅衬底的背表面场自上而下依次设置有广谱吸收黑硅材料层及钝化层，钝化层下表面设置有n型金属电极；本发明还设计了一种黑硅太阳能电池结构的制作工艺，本发明操作简单，反应复杂简单、产量高、能够显著提效0.5%以上，大幅降低硅片制绒后反射率，提升转换效率0.4%‑0.8%，硅片制绒后反射率从现有的20降至5左右。

主权项

一种黑硅太阳能电池结构，其特征在于，包括N型硅衬底（4），所述N型硅衬底（4）的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层（3）及绝缘层（2），其中，所述B型扩散层（3）的材质为硼酸盐，所述绝缘层（2）的材质为SiNx层膜，所述绝缘层（2）的上表面设置有P型金属电极（1）；所述N型硅衬底（4）的背表面场自上而下依次设置有广谱吸收黑硅材料层（5）及钝化层（6），所述钝化层（6）下表面设置有n型金属电极（7）。