[发明专利]一种基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计有效
| 申请号： | 201611032186.4 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106501547B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框，竖框设于横框的竖直中心线上，将横框一侧所在平面划分成两个区域；磁源，固定设于竖框上；两个检验质量块，分别设于两个所述区域内，且每一所述检验质量块由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；两个巨磁阻芯片，分别安装于两个检验质量块上，且两个巨磁阻芯片对称设置于磁源两侧，巨磁阻芯片的中心点到横框的距离与磁源的中心点到横框的距离相等，巨磁阻芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同，且检验质量块在加速度作用下的位移方向与磁矩方向在同一直线上。该基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁电 效应 分式 mems 加速度计 | ||
【主权项】：
1.一种基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计，其特征在于，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框，所述竖框设于所述横框的竖直中心线上，将所述横框一侧所在平面划分成两个区域；磁源，固定设于所述竖框上；两个检验质量块，分别设于两个所述区域内，且每一所述检验质量块由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；两个巨磁阻芯片，分别安装于两个所述检验质量块上，且两个所述巨磁阻芯片对称设置于所述磁源两侧，所述巨磁阻芯片的中心点到所述横框的距离与所述磁源的中心点到所述横框的距离相等，所述巨磁阻芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块在加速度作用下的位移方向与所述磁矩方向在同一直线上。
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