[发明专利]一种单轴MEMS加速度计有效
| 申请号： | 201611032202.X | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106771360B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 潘礼庆;杨先卫;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01P15/105 | 分类号： | G01P15/105 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单轴MEMS加速度计。该加速度计包括磁场源，用于产生梯度磁场，磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，为具有隧道磁电阻传感器的芯片，隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；隧道磁电阻芯片的数量为两个，分别位于所述磁场源的两侧，隧道磁电阻芯片与磁场源位于同一直线上，隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与磁场源的磁矩方向位于同一直线上，且隧道磁电阻芯片关于所述磁场源对称，隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线在同一方向上移动。本发明提供的加速度计与现有技术中的加速度测量仪器相比，提高了加速度的测量精度，扩大了加速度的测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道磁电阻 磁场源 芯片 加速度计 同一直线 单轴 测量 加速度测量仪器 梯度磁场 同一方向 磁敏感 上移动 传感器 磁场 磁矩 感知 对称 | ||
【主权项】：
1.一种单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度计包括：磁场源，所述磁场源用于产生梯度磁场，所述磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片，所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；所述隧道磁电阻芯片的数量为两个，分别位于所述磁场源的两侧，所述芯片与所述磁场源位于同一直线上，且所述隧道磁电阻芯片关于所述磁场源对称，所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线在同一方向上移动，所述芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上，所述磁场源的尺寸小于所述磁场源与所述隧道式电阻芯片之间的距离。
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