[发明专利]AMOLED双面显示器有效
申请号: | 201611032735.8 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106783913B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 易士娟;李双 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;G09G3/3225 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种AMOLED双面显示器,其OLED阵列层包括按矩阵排列的数个顶发射OLED单元、及数个底发射OLED单元,其中,所述顶发射OLED单元与所述底发射OLED单元在水平方向、及竖直方向中的至少一个方向上依次交替排列;且所述顶发射OLED单元与所述底发射OLED单元在阳极和阴极的厚度上均不相同,分别实现了顶发射OLED单元顶发射的特性与底发射OLED单元底发射的特性;从而通过设计单IC控制的图像演算法,只需要一个显示面板及一个控制IC,便能够实现双面显示的效果,并能够保证观察者在显示面板前后所看到的画面没有左右镜像及方向失真的问题,成本低,显示效果好。 | ||
搜索关键词: | amoled 双面 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种AMOLED双面显示器,其特征在于,包括基板(100)、及设于所述基板(100)上的OLED阵列层(200);所述OLED阵列层(200)包括按矩阵排列的数个顶发射OLED单元(210)、及数个底发射OLED单元(220),其中,所述顶发射OLED单元(210)与所述底发射OLED单元(220)在水平方向、及竖直方向中的至少一个方向上依次交替排列;/n所述顶发射OLED单元(210)与所述底发射OLED单元(220)均包括由下至上依次层叠的阳极、有机层(203)、及阴极;/n所述顶发射OLED单元(210)的阳极与所述底发射OLED单元(220)的阳极分别为第一阳极(211)、第二阳极(221),所述第一阳极(211)的厚度比第二阳极(221)的厚度大,则所述第一阳极(211)具有反射性,所述第二阳极(221)具有透光性;/n所述顶发射OLED单元(210)的阴极与所述底发射OLED单元(220)的阴极分别为第一阴极(212)、第二阴极(222),所述第二阴极(222)的厚度比所述第一阴极(212)的厚度大,则所述第一阴极(212)具有透光性,所述第二阴极(222)具有反射性;/n所述OLED阵列层(200)中,所述顶发射OLED单元(210)与所述底发射OLED单元(220)在水平方向、及竖直方向上均依次交替排列;/n所述数个顶发射OLED单元(210)与所述数个底发射OLED单元(220)共同构成一OLED单元阵列,其中,所述顶发射OLED单元(210)与所述底发射OLED单元(220)在每一行、及每一列中均依次交替排列;/n在进行显示时,所述OLED单元阵列中,每一行中从左至右第i个顶发射OLED单元(210)所接受的图像信号与该行中从右至左第i个底发射OLED单元(220)所接受的图像信号相同,i为正整数;/n所述OLED阵列层(200)还包括用于界定像素区域的像素间隔层(250),所述顶发射OLED单元(210)与所述底发射OLED单元(220)均对应形成于所述像素间隔层(250)所界定的像素区域上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的