[发明专利]一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法有效
申请号: | 201611032946.1 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106556466B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 张朴;王坤;刘文中;徐文彪;谢辉;程文祥 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01K3/10 | 分类号: | G01K3/10;G01K7/36 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 张彩锦 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磁纳米磁化强度‑温度曲线的快速测温方法,其包括以下步骤:(1)将磁纳米粒子样品置于待测对象的表面;(2)在所述磁纳米粒子样品所在区域施加直流激励磁场;(3)获取所述待测对象的初始温度T(0),并根据该初始温度T(0)计算出初始磁化强度M(0);(4)采用探测线圈检测由温度变化而引起磁化强度变化的响应信号u(t);(5)根据所述初始磁化强度M(0)和响应信号u(t)实时计算出磁纳米粒子的磁化强度M(t);(6)根据所述磁化强度M(t)利用拟合出的磁化强度‑温度曲线计算出待测对象的温度T(t)。本发明可实现纳秒量级快速温度测量,具有测量快速及时、测量结果准确等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 磁化 强度 温度 曲线 快速 测温 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于磁纳米磁化强度‑温度曲线的快速测温方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将磁纳米粒子样品置于待测对象的表面;(2)在所述磁纳米粒子样品所在区域施加直流激励磁场;(3)获取所述待测对象的初始温度T(0)并根据该初始温度T(0)计算出初始磁化强度M(0):式中,n是磁纳米粒子个数,v是单个磁纳米粒子体积,V是磁纳米样品总体积,H是外加激励磁场,k是波尔兹曼常数,T(0)为待测对象初始温度,M0=Ms0(1‑bT(0)a),Ms0是绝对温度为0K时磁纳米粒子饱和磁化强度,a、b为常数;(4)采用探测线圈检测由温度变化而引起磁化强度变化的响应信号u(t);(5)根据所述初始磁化强度M(0)和响应信号u(t)实时计算出磁纳米粒子的磁化强度M(t):式中,α为固定的耦合系数,k为放大器放大倍数,μ0为真空磁导率,n为探测线圈匝数,S为探测线圈面积,M(0)为初始磁化强度;(6)根据关系式拟合出磁化强度‑温度曲线,将所述M(t)作为M的输入值代入拟合出的曲线中求出T(t),t为时刻。
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