[发明专利]具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置

摘要

一种具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体形成于基板上并包括主动部、环围主动部的边缘终端部，及绝缘氧化层，主动部具有多个相互并联的电晶体，边缘终端部具有呈第一型半导体特性的第一半导体区、呈第二型半导体特性的第二半导体区，及远离基板的顶面，绝缘氧化层与基板相间隔地形成于边缘终端部，第一型半导体特性的浓度由顶面往基板方向递减。电极单元包括与电晶体连接且部分形成于绝缘氧化层上的第一电极层，及与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。借此，使该边缘终端部施加电压时，能延伸该第一半导体区与该第二半导体区之间的空乏区并具有均匀的电力线，从而能承受较高的崩溃电压。

主权项

一种具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，包含：一层基板、一个本体，及一个电极单元；其特征在于：该本体形成于该基板上，并包括一主动部、一环围该主动部的边缘终端部，及一绝缘氧化层，该主动部具有多个相互并联的电晶体，该边缘终端部具有一呈一第一型半导体特性的第一半导体区、一呈一第二型半导体特性的第二半导体区，及一远离该基板的顶面，该绝缘氧化层与该基板相间隔地形成于该边缘终端部上，该第一型半导体特性的浓度由该顶面往该基板方向递减，该电极单元包括一与所述电晶体连接且部分形成于该绝缘氧化层上的第一电极层，及一与该本体相间隔地形成于该基板的第二电极层。