[发明专利]制造图案化导体的方法有效
申请号: | 201611034509.3 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106711276B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | T·狄凯克;M·A·德格拉夫;C·布拉特;S·普罗特;C·A·托夫斯范考特海姆 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/00;H01L51/10;H05K3/06;H05K9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种制造图案化导体的方法,所述方法包含:提供衬底,所述衬底包含:上面沉积有导电层的基材;提供导电层蚀刻剂;提供纺纱材料,所述纺纱材料包含:载体;以及光敏掩模材料;提供显影剂;形成多个掩模纤维,并将它们沉积到所述导电层上,形成多个沉积的纤维;使所述多个沉积的纤维图案化,以提供处理的纤维部分和未处理的纤维部分;显影所述多个沉积的纤维,其中去除所述处理的纤维部分或所述未处理的纤维部分,留下图案化的纤维阵列;使所述导电层接触所述导电层蚀刻剂,其中去除未被所述图案化的纤维阵列覆盖的所述导电层,在所述衬底上留下图案化的导电网络。 | ||
搜索关键词: | 纤维 导电层 沉积 图案化 衬底 图案化导体 纺纱材料 纤维阵列 蚀刻剂 未处理 去除 导电层接触 导电网络 纤维图案 掩模材料 显影剂 光敏 基材 显影 掩模 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种制造图案化的导体的方法,其包含:提供衬底,其中所述衬底包含:基材;以及导电层,其中所述导电层沉积在所述衬底上;提供导电层蚀刻剂;提供纺织材料,其中所述纺织材料包含:载体;以及掩模材料,其中所述掩模材料为光敏材料;提供显影剂;通过选自由以下组成的群组的工艺加工所述纺织材料形成多个掩模纤维:电纺、喷气电纺、无针电纺和熔体电纺;在所述导电层上沉积所述多个掩模纤维,从而形成多个沉积的纤维;任选地,在所述导电层上压紧所述多个沉积的纤维;使所述多个沉积的纤维图案化,以改变所述多个沉积的纤维的选择部分的性质,从而提供处理的纤维部分和未处理的纤维部分;通过使所述多个沉积的纤维接触所述显影剂而显影所述多个沉积的纤维,其中去除(i)所述处理的纤维部分或(ii)所述未处理的纤维部分;留下图案化纤维阵列;使所述导电层接触所述导电层蚀刻剂,其中从所述衬底上去除未被所述图案化的纤维阵列覆盖的所述导电层,从而在所述衬底上留下被所述图案化的纤维阵列覆盖的图案化的导电网络,以提供所述图案化的导体;提供剥离剂;以及用所述剥离剂处理所述图案化的纤维阵列,其中去除所述图案化的纤维阵列,以在所述衬底上暴露所述图案化的导电网络;其中,所述图案化的导电网络是受控图案;其中,所述受控图案为多个分离的相互连接导电网络;其中,所述多个分离的相互连接导电网络中的每个相互连接导电网络与所述多个分离的相互连接导电网络中的其它相互连接导电网络电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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